图6显示了硬件跳变信号、PWM输出信号和其中一个逆变器臂的上方IGBT实际栅极-发射极波形之间的延迟。图中可以看到,IGBT开始关断后的总延迟约为100ns。
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通道1:栅极-发射极电压10 V/div;
通道2:来自控制器的PWM信号5 V/div;
通道3:低电平有效跳变信号5 V/div;100 ns/div
栅极驱动器去饱和检测比上文描述的过流检测方法执行速度快得多,且对于限制短路电流所允许上升的上限很重要,从而提升了系统的整体稳定性,并超过了可以实现的水准,哪怕系统带有快速过流保护功能。这显示在图7中。当发生故障时,电流快速上升——事实上,电流远高于图中所示,因为图中以带宽限制20A电流探针进行测量,仅供参考。去饱和电压达到9 V跳变电平,栅极驱动器开始关断。显然,短路的整个持续时间不足400ns。电流的长尾表示下方IGBT反并联二极管中的续流导致的感应电能。开启时,去饱和电压的初始增加是杂散去饱和检测电动势的一个例子,这是由于集电极-发射极电压瞬态所导致。可以通过增加去饱和滤波器时间常数,从而增加额外的消隐时间而消除。
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